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    • 专利摘要:
    本实用新型实施方式提出运算芯片的预驱动模块的电压提供电路、算力板的电压域的电压提供电路、算力板和矿机。电压提供电路包括：电阻，所述电阻的第一端连接电源；二极管，所述二极管的正极连接所述电阻的第二端，所述二极管的负极接参考地；电压提供端子，与所述二极管的正极连接，适配于与所述预驱动模块的第一端连接；其中所述预驱动模块的第二端接参考地，所述二极管的开启电压大于所述预驱动模块的工作电压。相比较现有技术的电阻分压方式，本实用新型实施方式显著降低了功率损耗。
    公开号:CN214335678U
    申请号:CN202023170327.3U
    申请日:2020-12-25
    公开日:2021-10-01
    发明作者:巫跃凤；高阳；宁洪燕；杨作兴；郭海丰
    申请人:Shenzhen Bite Microelectronics Technology Co ltd；
    IPC主号:G06F1-3234
    专利说明:
    [n0001] 本实用新型属于信息技术领域，特别是涉及运算芯片的预驱动模块的电压提供电路、算力板和矿机。
    [n0002] 随着超级计算机的快速发展，数字货币矿机已经从显卡矿机逐步走向了更低功耗和更低成本的专用集成电路(Application Specific Integrated Circuit，ASIC) 矿机。数字货币矿机中通常包含多个算力板。为了提高算力，算力板普遍为采用芯片阵列方式布局的电路板。通常算力板是由若干个运算芯片(比如ASIC、 CPU或GPU)组成的运算阵列单元。
    [n0003] 算力板内的运算芯片的核心电压供电多采用串联供电模式，其中运算芯片的电源正和电源负(参考地)首尾相连形成多级串联的电压域，每个电压域通常拥有一颗或几颗运算芯片。而且，每颗运算芯片分别具有由外部辅助供电电路提供电压的预驱动(pre-driver)模块。
    [n0004] 在现有技术中，一般采用电阻分压方式为预驱动模块供电。然而，电阻分压方式导致功率损耗较大。
    [n0005] 本实用新型实施例提出运算芯片的预驱动模块的电压提供电路、算力板和矿机。
    [n0006] 本实用新型实施例的技术方案如下：
    [n0007] 一种运算芯片的预驱动模块的电压提供电路，包括：
    [n0008] 电阻，所述电阻的第一端连接电源；
    [n0009] 二极管，所述二极管的正极连接所述电阻的第二端，所述二极管的负极接参考地；
    [n0010] 电压提供端子，与所述二极管的正极连接，适配于与运算芯片的预驱动模块的第一端连接；
    [n0011] 其中所述预驱动模块的第二端接参考地，所述二极管的开启电压大于所述预驱动模块的工作电压。
    [n0012] 在一个实施方式中，所述电阻的阻值为R，其中 R＝(VCC-VCC_PRE)/(I_PRE+I_D1)；
    [n0013] 其中VCC为所述电源的电压；VCC_PRE为所述预驱动模块的工作电压； I_PRE为所述预驱动模块的工作电流；I_D1为所述二极管的静态损耗电流。
    [n0014] 在一个实施方式中，所述预驱动模块的工作电压范围为[0.7伏特，0.8伏特]；所述二极管为硅二极管。
    [n0015] 一种算力板的电压域的电压提供电路，所述电压域包括一或多个运算芯片，每个运算芯片包含预驱动模块，所述电压提供电路包括：
    [n0016] 电阻，所述电阻的第一端连接电源；
    [n0017] 二极管，所述二极管的正极连接所述电阻的第二端，所述二极管的负极连接所述电压域中的参考地；
    [n0018] 电压提供端子，与所述二极管的正极连接，适配于与每个运算芯片的预驱动模块的第一端分别连接；
    [n0019] 其中每个运算芯片的预驱动模块的第二端分别连接所述电压域中的参考地，所述二极管的开启电压大于每个运算芯片的预驱动模块的工作电压。
    [n0020] 在一个实施方式中，所述电阻的阻值为R，其中 R＝(VCC-VCC_PRE)/(I_PRE+I_D1)；其中VCC为所述电源的电压；VCC_PRE 为该电压域内每个预驱动模块的工作电压；I_PRE为该电压域内全部预驱动模块的总工作电流；I_D1为所述二极管的静态损耗电流。
    [n0021] 在一个实施方式中，所述预驱动模块的工作电压范围为[0.7伏特，0.8伏特]；所述二极管为硅二极管。
    [n0022] 一种算力板，包括N个电压域和对应于各自电压域的N个电压提供电路，每个电压域包括一或多个运算芯片，每个运算芯片包含预驱动模块，N为至少为2的正整数；
    [n0023] 其中每个电压提供电路包括：
    [n0024] 电阻，所述电阻的第一端连接电源；
    [n0025] 二极管，所述二极管的正极连接所述电阻的第二端，所述二极管的负极连接对应于该电压提供电路的电压域中的参考地；
    [n0026] 电压提供端子，与所述二极管的正极连接，适配于与对应于该电压提供电路的电压域中的每个运算芯片的预驱动模块的第一端分别连接；
    [n0027] 其中所述每个运算芯片的预驱动模块的第二端分别连接对应于该电压提供电路的电压域中的参考地，所述二极管的开启电压大于所述每个运算芯片的预驱动模块的工作电压。
    [n0028] 在一个实施方式中，所述电阻的阻值为R，其中 R＝(VCC-VCC_PRE)/(I_PRE+I_D1)；其中VCC为所述电源的电压；VCC_PRE 为对应于该电压提供电路的电压域中的每个预驱动模块的工作电压；I_PRE为对应于该电压提供电路的电压域中全部预驱动模块的总工作电流；I_D1为所述二极管的静态损耗电流。
    [n0029] 在一个实施方式中，所述预驱动模块的工作电压范围为[0.7伏特，0.8伏特]；所述二极管为硅二极管。
    [n0030] 一种数字货币矿机，包括：如上任一项所述的算力板。
    [n0031] 从上述技术方案可以看出，电压提供电路包括：电阻，第一端连接电源；二极管，正极连接所述电阻的第二端，负极接参考地；电压提供端子，与二极管的正极连接，适配于与预驱动模块的第一端连接；其中预驱动模块的第二端接参考地，二极管的开启电压大于预驱动模块的工作电压。可见，本实用新型实施方式利用二极管代替现有技术的分压电阻，充分利用了正向电压小于开启电压时二极管的电流非常小的特点，降低了此电压提供电路的电流损耗，并由此降低了功率损耗，尤其适用于数字货币矿机的节能。
    [n0032] 图1为现有技术的数字货币矿机运算芯片的预驱动模块的电压提供电路的结构图。
    [n0033] 图2为本实用新型的数字货币矿机运算芯片的预驱动模块的电压提供电路的示范性结构图。
    [n0034] 图3为本实用新型的二极管伏安特性曲线的示意图。
    [n0035] 图4为本实用新型的二极管的正向属性曲线的示意图。
    [n0036] 图5为本实用新型的算力板的电压域的电压提供电路的结构图。
    [n0037] 图6为本实用新型的算力板的示范性结构图。
    [n0038] 为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面结合附图对本实用新型作进一步的详细描述。
    [n0039] 为了描述上的简洁和直观，下文通过描述若干代表性的实施方式来对本实用新型的方案进行阐述。实施方式中大量的细节仅用于帮助理解本实用新型的方案。但是很明显，本实用新型的技术方案实现时可以不局限于这些细节。为了避免不必要地模糊了本实用新型的方案，一些实施方式没有进行细致地描述，而是仅给出了框架。下文中，“包括”是指“包括但不限于”，“根据……”是指“至少根据……，但不限于仅根据……”。由于汉语的语言习惯，下文中没有特别指出一个成分的数量时，意味着该成分可以是一个也可以是多个，或可理解为至少一个。
    [n0040] 申请人发现：现有技术中采用电阻分压方式为数字货币矿机的运算芯片中的预驱动模块供电，具有功率损耗较大的缺点，尤其不利于数字货币矿机的节能需求。
    [n0041] 图1为现有技术的数字货币矿机运算芯片的预驱动模块的电压提供电路的结构图。
    [n0042] 在图1中，以电压域内包含有3个运算芯片为例进行说明。预驱动模块1 包含在运算芯片1(图1中没有示出)中；预驱动模块2包含在运算芯片2(图 1中没有示出)中；预驱动模块3包含在运算芯片3(图1中没有示出)中。
    [n0043] 在图1中，两个电阻R1和R2串联连接到电源VCC(通常为1.8伏特)。布置在电阻R1和R2之间的电压提供端子T分别连接到预驱动模块1、预驱动模块2和预驱动模块3，从而为预驱动模块1、预驱动模块2和预驱动模块3 分别供电。
    [n0044] 为了阐述目的，下面根据具有特定电属性数值的预驱动模块进行示范性说明，本领域技术人员可以意识到，这些电属性值(比如工作电压或工作电流) 仅是示范性的，并不用于限定本实用新型实施方式的保护范围。
    [n0045] 举例：每个预驱动模块的工作电流通常为5～6毫安(mA)，在计算中可以取为6毫安。每个预驱动模块的工作电压VCCPRE通常为0.7～0.8伏特(V)，在计算中可以取为0.7伏特。预驱动模块1、预驱动模块2和预驱动模块3为并联连接，因此预驱动模块1、预驱动模块2和预驱动模块3的总工作电流IPRE的范围为15～18毫安(mA)，可以取IPRE为18毫安。
    [n0046] 根据欧姆定理：
    [n0047] 预驱动模块1、预驱动模块2和预驱动模块3的等效电阻R_PRE＝0.7伏特 /0.018安培＝38.9欧姆。
    [n0048] 另外，
    [n0049] 可见，当R2为无穷大时，R1具有极大值61欧姆(Ω)，因此R1需要小于61欧姆(Ω)。
    [n0050] 考虑到上电瞬间，预驱动模块1、预驱动模块2和预驱动模块3都没有接入，电阻R2的分压接近VCC_PRE，而且为防止电阻R2的分压受负载(即预驱动模块1、预驱动模块2和预驱动模块3的等效电阻R_PRE)影响较大，R2需要小于R_PRE(即38.9Ω)。假设R2＝38Ω，将R2的值代入公式1，可以计算得到R1＝30.2Ω，则电阻R2分压得到的VCC_PRE＝1.8*R2/(R1+R2)＝1 伏特，比VCC_PRE的实际需要电压(即预驱动模块的工作电压)偏高，因此继续减小R2以减少R_PRE的影响。经过不断迭代计算，最终R2可能小于10 Ω，假设R2＝10Ω，则R1＝12.5Ω，此时电阻R2分压得出的 VCC_PRE＝1.8*R2/(R1+R2)＝0.8V，接近VCC_PRE电压(0.7～0.8伏特)。
    [n0051] 当预驱动模块1、预驱动模块2和预驱动模块3都接入时，电阻R2分压会略微下降。具体地，电阻R2与R_PRE的并联等效电阻R3＝(R2×R_PRE)/R2 +R_PRE)＝(38.9×10)/(38.9+10)＝7.95Ω。因此，当预驱动模块1、预驱动模块2和预驱动模块3都接入时，电阻R2分压得出的VCC_PRE＝1.8*R3/ (R1+R3)＝0.6997(V)。因此，此时电阻R2消耗的静态损耗电流大概为70mA。
    [n0052] 可见，由于电阻R2消耗的静态损耗电流较大，因此电阻R2消耗功率较大，不利于数字货币矿机运算芯片的节能。尤其是，当存在多个电压域以及每个电压域内的运算芯片的数目较多时，电阻R2消耗功率较大的缺点更加明显。
    [n0053] 申请人还发现：当二极管的正向电压较小时，二极管的正向电流小(几乎等于零)。只有当二极管的正向电压超过某一数值(Uon)时，正向电流才明显增大。一般将Uon称为开启电压。当正向电压超过开启电压后，随着电压的升高，正向电流将迅速增大，电流与电压的关系基本上是一条指数曲线。图3为本实用新型的二极管伏安特性曲线的示意图。
    [n0054] 图4为本实用新型的二极管的正向属性曲线的示意图。由图4可见，二极管导通后，二极管的压降基本不随电流变化。而且，二极管的开启电压随温度升高而降低。开启电压与二极管的材料有关，一般硅二极管的开启电压为0.7V 左右。
    [n0055] 考虑到现有技术中电阻R2的静态损耗电流较大导致功率损耗大的缺点以及二极管的上述正向特性，本实用新型实施方式利用二极管代替图1所示的分压电阻R2，从而实现一种低成本且损耗小的预驱动模块的电压提供电路。
    [n0056] 图2为本实用新型的数字货币矿机运算芯片的预驱动模块的电压提供电路的示范性结构图。在图2中，以1个运算芯片为例进行说明，该运算芯片包含预驱动模块。
    [n0057] 如图2，电压提供电路包括：
    [n0058] 电阻R1，所述电阻R1的第一端连接电源VCC；
    [n0059] 二极管D1，所述二极管D1的正极连接所述电阻R1的第二端，所述二极管D1的负极接参考地；
    [n0060] 电压提供端子T，与所述二极管D1的正极连接，适配于与运算芯片的预驱动模块的第一端连接；
    [n0061] 其中所述预驱动模块的第二端接参考地，所述二极管D1的开启电压大于所述预驱动模块的工作电压VCC_PRE。
    [n0062] 在这里，二极管D1的负极所连接的参考地，即为该运算芯片所在的电压域内的低电压端(即电源负)。
    [n0063] 为了阐述目的，下面继续以具有特定电属性数值的预驱动模块和二极管进行示范性说明，本领域技术人员可以意识到，这些电属性值(比如工作电压或工作电流)仅是示范性的，并不用于限定本实用新型实施方式的保护范围。
    [n0064] 在图2中，电阻R1和二极管D1串联连接到电源VCC(通常为1.8伏特)。布置在电阻R1和二极管D1之间的电压提供端子T连接到预驱动模块，从而为预驱动模块供电。预驱动模块的工作电流IPEE通常为5～6毫安(mA)，在计算中可以取为6毫安。预驱动模块的工作电压VCCPRE通常为0.7～0.8伏特(V)，在计算中可以取为0.7伏特。
    [n0065] 当二极管D1的正向电压增大到预驱动模块的工作电压VCC_PRE时，二极管D1处于微导通状态，并具有较小的工作电流。此时，相比较电阻R2消耗的静态损耗电流，微导通状态的二极管D1的静态损耗电流显著降低。
    [n0066] 具体地，电源VCC可以实施为与算力板连接的矿机电源。比如，矿机电源的输出电压经过降压处理后，即为电源VCC。
    [n0067] 在一个实施方式中，电阻R1＝(VCC-VCC_PRE)/(IPRE+I_D1)；其中 VCC为所述电源的电压；VCC_PRE为所述预驱动模块的工作电压；IPRE为所述预驱动模块的工作电流；I_D1为所述二极管的静态损耗电流。优选地，预驱动模块的工作电压范围为[0.7伏特，0.8伏特]；二极管D1为硅二极管。
    [n0068] 由图2可见，本实用新型实施方式采用二极管D1代替图1中的电阻R2。上电瞬间，预驱动模块没有接入时，电压提供端子T所提供的电压VCC_PRE 等于二极管D1的两端电压。由于提供给预驱动模块的工作电压VCC_PRE通常在0.7～0.8V之间，因此优选选择开启电压为0.7～0.8V的二极管D1。根据二极管特性曲线，为了尽量减少二极管D1两端的电流，二极管D1的开启电压应尽可能高，从而优选选择开启电压为0.8V的二极管D1。
    [n0069] 二极管D1的实际工作电压尽可能低，因此可以选择合适电阻值的R1以将 VCC_PRE电压控制到最低(0.7V)。根据图4所示本实用新型的二极管的正向属性曲线，当正向电压为0.7V时，二极管D1消耗的静态损耗电流(I_D1)约 10mA。
    [n0070] 因此：
    [n0071] R1＝(1.8-VCC_PRE)/(IPRE+I_D1)＝(1.8-0.7)/(6+10)mA＝68.7Ω。
    [n0072] 在图2中以一个运算芯片为例进行描述，当存在多个电压域以及每个电压域内的运算芯片的数目较多时，本实用新型实施方式的优点更加明显。需要注意的是，当运算芯片数目发生变化时，计算R1时的IPRE与运算芯片数目相关。举例，当电压域内包含有3个运算芯片时，这3个运算芯片的各自的预驱动模块相互并联，这3个运算芯片的各自预驱动模块的总工作电流IPRE的范围为 15～18毫安(mA)，可以取IPRE为18毫安。此时， R1＝(1.8-VCC_PRE)/(IPRE+I_D1)＝(1.8-0.7)/(18+10)mA＝39.2Ω。
    [n0073] 可见，本实施例中，当具有3个运算芯片且采用二极管D1时，R1为39 Ω左右。而且，相对如图1所示的、3个运算芯片且采用电阻R2的现有技术，二极管D1节省(70mA－10mA)＝60mA的损耗，因此本实用新型实施方式节省功率为0.7V*60mA＝42mW。比如，假定整个算力板有40层电压域(每个电压域同样包含3个运算芯片)，则可以节约1.68W的功率。假定整机包含3个算力板，则可以节约5W的功率。
    [n0074] 以上示范性描述了电压提供电路的典型数值，本领域技术人员可以意识到，这种描述仅是示范性的，并不用于限定本实用新型实施方式的保护范围。
    [n0075] 基于上述描述，本实用新型实施方式还提出了算力板的电压域的电压提供电路。
    [n0076] 图5为本实用新型的算力板的电压域的电压提供电路的结构图。
    [n0077] 在图5中，电压域包括K个运算芯片，每个运算芯片包含各自的预驱动模块，因此电压域内包含K个预驱动模块，其中K为至少为1的正整数，各个预驱动模块具有相同的电学属性(比如，具有相同的工作电压)。电压域的电压提供电路包括：
    [n0078] 电阻R1，所述电阻R1的第一端连接电源VCC；
    [n0079] 二极管D1，所述二极管D1的正极连接所述电阻R1的第二端，所述二极管D1的负极连接所述电压域中的参考地(也就是，该电压域中的低电压端(电源负)，该低电压端通常串联到下一级电压域的高电压端(电源正))；
    [n0080] 电压提供端子T，与所述二极管D1的正极连接，适配于与每个运算芯片的预驱动模块的第一端分别连接；
    [n0081] 其中每个运算芯片的预驱动模块的第二端分别连接所述电压域中的参考地，所述二极管D1的开启电压大于每个运算芯片的预驱动模块的工作电压。
    [n0082] 当二极管D1的正向电压增大到预驱动模块的工作电压时，二极管D1处于微导通状态，并具有较小的工作电流。此时，相比较电阻R2消耗的静态损耗电流，微导通状态的二极管D1的静态损耗电流显著降低。
    [n0083] 在一个实施方式中，其中R1＝(VCC-VCC_PRE)/(PRE+I_D1)；其中VCC 为所述电源的电压；VCC_PRE为该电压域内每个预驱动模块的工作电压；IPRE为 K个预驱动模块的总工作电流；I_D1为所述二极管的静态损耗电流。优选地，预驱动模块的工作电压范围为[0.7伏特，0.8伏特]；所述二极管D1为硅二极管。
    [n0084] 基于上述描述，本实用新型实施方式还提出了一种算力板。该算力板包括 N个电压域和对应于各自电压域的N个电压提供电路，每个电压域包括一或多个运算芯片，每个运算芯片包含预驱动模块，N为至少为2的正整数；
    [n0085] 其中N个电压提供电路中的每个电压提供电路包括：电阻，所述电阻的第一端连接电源；二极管，所述二极管的正极连接所述电阻的第二端，所述二极管的负极连接对应于该电压提供电路的电压域中的参考地；电压提供端子，与所述二极管的正极连接，适配于与对应于该电压提供电路的电压域中的每个运算芯片的预驱动模块的第一端分别连接；其中所述每个运算芯片的预驱动模块的第二端分别连接对应于该电压提供电路的电压域中的参考地，所述二极管的开启电压大于所述每个运算芯片的预驱动模块的工作电压。
    [n0086] 图6为本实用新型的算力板的示范性结构图。
    [n0087] 在图6中，运算芯片1、运算芯片2和运算芯片3构成电压域1；运算芯片 4、运算芯片5和运算芯片6构成电压域2……运算芯片3N-5、运算芯片3N-4 和运算芯片3N-3构成电压域N-1；运算芯片3N-2、运算芯片3N-1和运算芯片 3N构成电压域N。
    [n0088] 源自矿机电源的输入电压VCC1输入到电压提供电路1。电压提供电路1 具有类似于图5所示电路结构。电压提供电路1基于VCC1，为电压域1中的运算芯片1、运算芯片2和运算芯片3的各自的预驱动模块提供电压VCC_PRE1。优选地，输入电压VCC1相对于电压域1中的参考地，具有1.8伏特的电势差。
    [n0089] 源自矿机电源的输入电压VCC2输入到电压提供电路2。电压提供电路2 具有类似于图5所示电路结构。电压提供电路2基于VCC2，为电压域2中的运算芯片4、运算芯片5和运算芯片6的各自的预驱动模块提供电压VCC_PRE2。优选地，输入电压VCC2相对于电压域2中的参考地，具有1.8伏特的电势差。
    [n0090] 以此类推，源自矿机电源的VCCN-1输入到电压提供电路N-1。电压提供电路N-1具有类似于图5所示电路结构。电压提供电路N-1基于VCCN-1，为电压域N-1中的运算芯片3N-5、运算芯片3N-4和运算芯片3N-3的各自的预驱动模块提供电压VCC_PREN-1。优选地，输入电压VCCN-1相对于电压域N-1中的参考地，具有1.8伏特的电势差。
    [n0091] 源自矿机电源的VCCN输入到电压提供电路N。电压提供电路N具有类似于图5所示电路结构。电压提供电路N基于VCCN，为电压域N中的运算芯片3N-2、运算芯片3N-1和运算芯片3N的各自的预驱动模块提供电压VCC_PREN。优选地，输入电压VCCN相对于电压域N中的参考地，具有1.8伏特的电势差。
    [n0092] 基于上述描述，本实用新型实施方式还提出了一种数字货币矿机，包含至少一个如图6所示的算力板。
    [n0093] 综上所述，在本实用新型实施方式中，电压提供电路包括：电阻，第一端连接电源；二极管，正极连接所述电阻的第二端，负极接参考地；电压提供端子，与二极管的正极连接，适配于与预驱动模块的第一端连接；其中预驱动模块的第二端接参考地，二极管的开启电压大于预驱动模块的工作电压。可见，本实用新型实施方式利用二极管代替现有技术的分压电阻，充分利用了正向电压小于开启电压时二极管的电流非常小的特点，降低了二极管的电流损耗，并由此降低了功率损耗，尤其适用于数字货币矿机的节能。
    [n0094] 需要说明的是，上述各结构图中不是所有的模块都是必须的，可以根据实际的需要忽略某些模块。各模块的划分仅仅是为了便于描述采用的功能上的划分，实际实现时，一个模块可以分由多个模块实现，多个模块的功能也可以由同一个模块实现，这些模块可以位于同一个设备中，也可以位于不同的设备中。
    [n0095] 各实施方式中的硬件模块可以以机械方式或电子方式实现。例如，一个硬件模块可以包括专门设计的永久性电路或逻辑器件(如专用处理器，如FPGA 或ASIC)用于完成特定的操作。硬件模块也可以包括由软件临时配置的可编程逻辑器件或电路(如包括通用处理器或其它可编程处理器)用于执行特定操作。至于具体采用机械方式，或是采用专用的永久性电路，或是采用临时配置的电路(如由软件进行配置)来实现硬件模块，可以根据成本和时间上的考虑来决定。
    [n0096] 在本文中，“示意性”表示“充当实例、例子或说明”，不应将在本文中被描述为“示意性”的任何图示、实施方式解释为一种更优选的或更具优点的技术方案。为使图面简洁，各图中的只示意性地表示出了与本实用新型相关部分，而并不代表其作为产品的实际结构。另外，以使图面简洁便于理解，在有些图中具有相同结构或功能的部件，仅示意性地绘示了其中的一个，或仅标出了其中的一个。在本文中，“一个”并不表示将本实用新型相关部分的数量限制为“仅此一个”，并且“一个”不表示排除本实用新型相关部分的数量“多于一个”的情形。在本文中，“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“内”、“外”等仅用于表示相关部分之间的相对位置关系，而非限定这些相关部分的绝对位置。
    [n0097] 以上所述，仅为本实用新型的较佳实施例而已，并非用于限定本实用新型的保护范围。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
    权利要求:
    Claims (10)
    [0001] 1.一种运算芯片的预驱动模块的电压提供电路，其特征在于，包括：
    电阻，所述电阻的第一端连接电源；
    二极管，所述二极管的正极连接所述电阻的第二端，所述二极管的负极接参考地；
    电压提供端子，与所述二极管的正极连接，适配于与运算芯片的预驱动模块的第一端连接；
    其中所述预驱动模块的第二端接参考地，所述二极管的开启电压大于所述预驱动模块的工作电压。
    [0002] 2.根据权利要求1所述的运算芯片的预驱动模块的电压提供电路，其特征在于，
    所述电阻的阻值为R，其中R＝(VCC-VCC_PRE)/(I_PRE+I_D1)；
    其中VCC为所述电源的电压；VCC_PRE为所述预驱动模块的工作电压；I_PRE为所述预驱动模块的工作电流；I_D1为所述二极管的静态损耗电流。
    [0003] 3.根据权利要求1或2所述的运算芯片的预驱动模块的电压提供电路，其特征在于，所述预驱动模块的工作电压范围为[0.7伏特，0.8伏特]；所述二极管为硅二极管。
    [0004] 4.一种算力板的电压域的电压提供电路，所述电压域包括一或多个运算芯片，每个运算芯片包含预驱动模块，其特征在于，所述电压提供电路包括：
    电阻，所述电阻的第一端连接电源；
    二极管，所述二极管的正极连接所述电阻的第二端，所述二极管的负极连接所述电压域中的参考地；
    电压提供端子，与所述二极管的正极连接，适配于与每个运算芯片的预驱动模块的第一端分别连接；
    其中每个运算芯片的预驱动模块的第二端分别连接所述电压域中的参考地，所述二极管的开启电压大于每个运算芯片的预驱动模块的工作电压。
    [0005] 5.根据权利要求4所述的算力板的电压域的电压提供电路，其特征在于，
    所述电阻的阻值为R，其中R＝(VCC-VCC_PRE)/(I_PRE+I_D1)；其中VCC为所述电源的电压；VCC_PRE为该电压域内每个预驱动模块的工作电压；I_PRE为该电压域内全部预驱动模块的总工作电流；I_D1为所述二极管的静态损耗电流。
    [0006] 6.根据权利要求4或5所述的算力板的电压域的电压提供电路，其特征在于，所述预驱动模块的工作电压范围为[0.7伏特，0.8伏特]；所述二极管为硅二极管。
    [0007] 7.一种算力板，其特征在于，包括N个电压域和对应于各自电压域的N个电压提供电路，每个电压域包括一或多个运算芯片，每个运算芯片包含预驱动模块，N为至少为2的正整数；
    其中每个电压提供电路包括：
    电阻，所述电阻的第一端连接电源；
    二极管，所述二极管的正极连接所述电阻的第二端，所述二极管的负极连接对应于该电压提供电路的电压域中的参考地；
    电压提供端子，与所述二极管的正极连接，适配于与对应于该电压提供电路的电压域中的每个运算芯片的预驱动模块的第一端分别连接；
    其中所述每个运算芯片的预驱动模块的第二端分别连接对应于该电压提供电路的电压域中的参考地，所述二极管的开启电压大于所述每个运算芯片的预驱动模块的工作电压。
    [0008] 8.根据权利要求7所述的算力板，其特征在于，
    所述电阻的阻值为R，其中R＝(VCC-VCC_PRE)/(I_PRE+I_D1)；其中VCC为所述电源的电压；VCC_PRE为对应于该电压提供电路的电压域中的每个预驱动模块的工作电压；I_PRE为对应于该电压提供电路的电压域中全部预驱动模块的总工作电流；I_D1为所述二极管的静态损耗电流。
    [0009] 9.根据权利要求7或8所述的算力板，其特征在于，
    所述预驱动模块的工作电压范围为[0.7伏特，0.8伏特]；所述二极管为硅二极管。
    [0010] 10.一种数字货币矿机，其特征在于，包括：
    如权利要求7-9中任一项所述的算力板。
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    同族专利:
    公开号 | 公开日
    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
    法律状态:
    2021-10-01| GR01| Patent grant|
    2021-10-01| GR01| Patent grant|
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
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